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型号/规格:2333 品牌/商标:TDKAND 环保类别:无铅环保型 主要用途: 额定电流:222A 额定电压:V 外形尺寸:mm AND:ANDAND
型号/规格:123 品牌/商标:Vishay(威世) 封装:123 批号:20
型号/规格:3333 品牌/商标:444 555:67767 7777:888 7778:0012
888:0023 777:0123 666:0120 555:0121 444:0012
型号/规格:STMicroelectronics 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:LQFP-48 环保类别:普通型 安装方式:贴片式 包装方式:散装 功率特性:大功率 频率特性:中频 整流电流: 反向击穿电流:
型号/规格:Integrated Circuit 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装形式:LQFP-48 环保类别:普通型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 功率特性:中功率 频率特性:中频 整流电流: 反向击穿电流:
型号/规格:22 品牌/商标:4444 7778:8888 8899:0000 6778:888 7899:0000
型号/规格:花木成畦手自栽 品牌/商标:基材仍 封装:dsf 批号:fewer
型号/规格:STM32F103C8T6 品牌/商标:ST(意法半导体) 封装:Tray 批号:2023 数量:3000 长度:7mm
型号/规格:5567 品牌/商标:7778 8999:666 999:8888
型号/规格:STM32F103C8T6 品牌/商标:ST 封装:Reel 批号:2023 数量:3000
型号/规格:RTF010P02TL 品牌/商标:MOSFET 封装:Reel 批号:2023
型号/规格:358 品牌/商标:晶导微 封装形式:tt 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特性: 频率特性: 整流电流: 反向击穿电流:
型号/规格:1 品牌/商标:2 封装:3 批号:4 44:555 55:6666 777:666 4444:6666
型号/规格:0.1w 品牌/商标:TDK 环保类别:无铅环保型 产品主要用途: 功率分类: 精度类别: 外形结构特征: 引出线类型: 包装形式:
型号/规格:LM358 品牌/商标:ST(意法半导体) 数量:1000 参数:PK
型号/规格:CC0201JPNPO9BN100 品牌/商标:安科瑞 封装:智能楼宇 批号:2019+ 2334:555 7770:5565 7777:4444 777:BM28B0.6-60DP/2-0.35V
型号/规格:444 品牌/商标:Vishay(威世) 封装形式:444 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特性:超大功率 频率特性:高频
型号/规格:444 品牌/商标:SEOUL(首尔半导体) 封装形式:44 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:高频
型号/规格:3333 品牌/商标:GE(通用) 封装形式:333 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装
型号/规格:33 品牌/商标:SEOUL(首尔半导体) 封装形式:333 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:超高频
品牌:WINSOK微硕 型号:WST4041 封装:SOT-23-3L 批号:2018 FET类型:P-Ch MOSFET 漏源电压(Vdss):-40V 漏极电流(Id):-6A 漏源导通电阻(RDS On):30mΩ 栅源电压(Vgs):20V 栅极电荷(Qg):9.5 反向恢复时间:-2.2 耗散功率:1.4 配置类型:增强型 工作温度范围:-55℃-150℃ 安装类型:绝缘栅(MOSFET) 应用领域:3C数码,医疗电"
型号/规格:XA123 品牌/商标:AMS(美国微系统) 封装形式:sd 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流: 反向电压:V
型号/规格:MMSZ5235B 品牌/商标:JCST(长电) 封装形式:SOD-123 环保类别:普通型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 功率特性:中功率 频率特性:高频 极性:NPN型
型号/规格:--- 品牌/商标:5555 787:999 999:0000