VISHAY威世SI7288DP-T1-GE3是一款由Vishay Intertechnology, Inc.（威世科技）设计生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。以下是对该产品的详细介绍：
一、基本信息
制造商：Vishay Intertechnology, Inc.（威世科技）
商标名：TrenchFET
型号：SI7288DP-T1-GE3
零件号别名：SI7288DP-GE3
二、技术参数
技术参数数值/描述
晶体管极性 N-Channel（N沟道） 
通道数量 2 Channel（双路） 
漏源击穿电压 40 V（Vds） 
漏极电流 20 A（Id） 
漏源电阻 19 mOhms（Rds On）@10V 
栅极电压 -20 V, %2B20 V（Vgs） 
栅源极阈值电压 1.2 V（Vgs th） 
栅极电荷 15 nC（Qg） 
耗散功率 15.6 W（Pd） 
通道模式 Enhancement（增强型） 
配置 Dual（双路） 
下降时间 8 ns 
正向跨导 39 S（zui小值） 
上升时间 8 ns 
典型关闭延迟时间 14 ns 
典型接通延迟时间 7 ns 
三、物理特性
安装风格：SMD/SMT（表面贴装）
封装/箱体：PowerPAK SO-8
高度：1.12 mm
长x宽/尺寸：4.90 x 5.89 mm
单位重量：506.600 mg
四、工作环境
zui小工作温度：-55 ?C
zui大工作温度：%2B150 ?C
存储温度：-55 ?C ~ %2B150 ?C
五、应用与特点
SI7288DP-T1-GE3采用TrenchFET? 第五代功率技术，非常适用于同步整流和自动化应用。
具有低RDS(on)和高开关速度，适合高效电源转换和驱动电路。